碳化硅晶体
碳化硅（SiC）单晶由Si-C双原子层以不同堆垛顺序构成，有超过200种晶型 ，其多晶型特性赋予了不同应用场景的多样化选择。在众多晶型中，4H-SiC凭借其宽禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强和高热导率的完美平衡，成为高电压、高功率、高频率、高效率、耐高温、抗辐射半导体器件制备的理想选择。
公司采用自主研发的碳化硅单晶生长设备，通过优化高温热场材料结构与晶体生长工艺，成功制备出4H晶型占比100%、零微管、零层错、零螺位错密度（KOH腐蚀法）、低基平面位错密度的高品质单晶，可提供4英寸、6英寸、8英寸及12英寸规格的导电型与半绝缘型碳化硅单晶晶锭产品。