导电型碳化硅（SiC）衬底主要用于制造大功率电力电子器件，如肖特基势垒二极管（SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。相较于传统硅基器件，SiC器件具备高耐压、高工作频率、高转换效率及优异的高温工作特性。采用此类SiC功率器件的电力电子变换系统，在系统效率、功率密度、小型化程度以及可靠性等方面均展现出显著优势，因此被广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电设施、工业电机驱动、轨道交通、智能电网、数据中心供电及储能电站等领域。