半绝缘碳化硅（SiC）衬底主要用于制造高频微波器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）。相较于传统砷化镓基器件，SiC基射频器件具备高频传输、低信号损耗、高功率容量及优异的热稳定性。采用此类SiC射频器件的通信系统，在信号保真度、功率效率、散热性能以及环境适应性等方面均展现出显著优势，因此被广泛应用于5G/6G基站、相控阵雷达、卫星通信、车联网（V2X）及国防电子系统等领域。